Центр коллективного пользования

отделения микроэлектронных технологий курчатовского комплекса

синхротронно-нейтронных исследований НИЦ "Курчатовский институт"

 (ОМТ ККСНИ НИЦ "Курчатовский институт")
О компании
Оборудование
Услуги
Сотрудники
Достижения
Контакты
  Главная → Сотрудники → Сарайкин Владимир Васильевич  

Сарайкин
Владимир Васильевич

Сарайкин Владимир Васильевич

 Оборудование:
Вторично-ионный масс спектрометр CAMECA IMS 4f
Вторично-ионный масс спектрометр CAMECA IMS 4f
  1. В. В. Сарайкин, В. Г. Мокеров, И. М. Закотеева А. С. Игнатьев А. Г. Петрова И. В. Рябинин Получение и свойства пленок двуокиси ванадия как среды для регистрации голограмм Тезисы докладов II ой Всесоюзной конференции по голографии. т.II, стр. 24—26, Киев,1975 г.
  2. В. В. Сарайкин, В. Г. Мокеров Изменение оптических свойств двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-металл Физика твердого тела. АН СССР, т. 18,вып. 7, стр. 1801—1805, 1976 г
  3. В. В. Сарайкин, Л. А. Валиев В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова Рассеяние света при фазовом переходе полупроводник-металл в двуокиси ванадия. Физика твердого тела, АН СССР, т. 19, вып. 9, стр. 1537—1544, 1977 г.
  4. В. В. Сарайкин, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова И. В. Рябинин Рассеяние света при фазовом переходе полупроводник-металл в двуокиси ванадия Тезисы докладов II-ой Всесоюзной конференции по фазовым переходам металл-диэлектрик, стр. 22—24, г. Львов, 1977 г.
  5. В. В. Сарайкин, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, Н. М. Манжа С. Н. Патюков Способ контроля качества диэлектрических пленок. Авторское свидетельство 953935 от 27.02.81 г.
  6. В. В. Сарайкин, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, Н. М. Манжа А. С. Игнатьев Влияние нарушения стехиометрии на стабильность пленок нитрида кремния Письма в журнал технической физики, стр. 1248—1251, т. 7, 1981 г.
  7. В. В. Сарайкин, В. Г. Мокеров, А. С. Игнатьев А. Г. Петрова В. А. Рыбин Электронная Оже-спектрометрия тонких пленок силицида платины на кремнии. Журнал технической физики. Стр. 1212—1214 т. 54, вып. 6, 1984 г.
  8. В. В. Сарайкин, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова В. А. Рыбин Исследование границы раздела тонкопленочных структур методом электронной Оже-спектроскопии и вторично-ионной масс-спектроскопии. Электронная промышленность стр. 23—27, вып. 2(130) 1984 г.
  9. В. В. Сарайкин, П. Б. Орлов Ф. А. Гимельфарб Применение кластерных ионов для исследования распада твердых растворов методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Тезисы докладов IХ Всесоюзной научно-технической конференции «Локальные рентгеноспектральные исследования и их применение» стр. 185—186 г. Устинов, 1985 г.
  10. В. В. Сарайкин, Г. Б. Галиев А. Р. Бегишев В. Г. Мокеров Особенности распределения бора в кремнии при ионном легировании большими дозами Микроэлектроника, т. 15, вып. 4, стр 354—357, 1986 г.
  11. В. В. Сарайкин, М. С. Саидов К. Л. Лютович А. Н. Суворов А. С. Лютович Молекулярно-лучевая гетероэпитаксия кремния на германии Доклады академии наук УзССР, № 5, стр. 25—27, 1986 г.
  12. В. В. Сарайкин, П. Б. Орлов Ф. А. Гимельфарб Применение кластерных ионов для исследования распада твердых растворов методом МСВИ Известия Академии Наук СССР, сер. Физ., т. 50, № 9, 1986 г. стр. 1710—1711
  13. В. В. Сарайкин, О возможности использования молекулярных ионов для определения фазового состояния примеси. Тезисы докладов IV Всесоюзной конференции по масс-спектрометрии. Секция 7, стр. 131—133 Г. Сумы, 16—19 сентября 1986 г.
  14. В. В. Сарайкин, С. В. Смятона Л. Б. Гуоба Г. Б. Петраускас Исследование влияния облучения арсенида галлия низкоэнергетическими ионами Ar (0.8—2 кэв) на межфазное взаимодействие в контактах Ti-nGaAs и Al-nGaAs Деп. рукопись сборник ВИМИ серия «ИМ», вып. 19, 1987 г.
  15. В. В. Сарайкин, А. Б. Коршунов Н. А. Генералов В. П. Зимаков И. В. Зыканова В. М. Верин Способ легирования пластин кремния Авторское свидетельство 1507129 от 08.05.89
  16. В. В. Сарайкин, А. Б. Кокшунов Н. А. Генералов В. П. Зимаков И. В. Зыканова Н. Г. Соловьев Способ легирования кремниевых пластин Авторское свидетельство 1531756 от 22.08.89
  17. В. В. Сарайкин, А. Б. Коршунов Н. А. Генералов В. П. Зимаков И. В. Зыканова Н. Г. Соловьев Способ легирования кремниевых пластин Авторское свидетельство 1531757 от 22.08.89
  18. В. В. Сарайкин, К. Л. Енишерлова П. Б. Орлов С. С. Сарманов Н. И. Марунина Роль жидкостных отмывок при подготовке поверхности кремния Электронная техника, сер. 2, вып. 2(193) 1988 г. стр. 71—76
  19. В. В. Сарайкин, Б. В. Маркин В. В. Никулов В. Н. Рябов Формирование приконтактных сильно легированных p+ слоев кремния в эпитаксиальной установке Электроника СВЧ серия 1, вып. 5(409), 1988 г. стр. 53—56
  20. В. В. Сарайкин, К. Л. Енишерлова С. С. Сарманов П. Б. Орлов Влияние жидкостных предокислительных отмывок на свойства МДП структур Электронная техника, сер. 2, вып 1(198), 1989 г. стр. 37—42.
  21. В. В. Сарайкин, Н. Б. Бузылев А. Б. Данилин Особенности легирования кремния ионами фосфора на основе повторяющихся циклов имплантация- отжиг Тезисы докладов. Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов» г. Каунас,16—17 мая 1989 г. стр. 83
  22. В. В. Сарайкин, Н. Б. Бузылев А. Н. Данилин Ю. Н. Ерохин Е. Н. Нагдаев Роль радиационных дефектов в ионном синтезе SiC Тезисы докладов. Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов» г. Каунас, 16—17 мая 1989 г. стр. 178
  23. В. В. Сарайкин, А. И. Белогорохов О. И. Вылеталина А. Б. Данилин К. А. Дракин Е. В. Назарова А. Ф. Петров Влияние упругих напряжений на процесс ионного синтеза скрытых слоев диэлектрической фазы Тезисы докладов. Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов» г. Каунас, 16—17 мая 1898 г. стр. 176
  24. В. В. Сарайкин, В. А. Ганшин Ю. Н. Коркишко Т. В. Морозова The study of Proton Exchange in Lithium Tantalate Crystals Phys. Stat. Sol(a) 114, 1989 p.457—465
  25. В. В. Сарайкин, П. Б. Орлов Снижение пределов обнаружения газообразующих примесей масс-спектрометром вторичных ионов IMS-3F, Заводская лаборатория т. 56, № 6, 1990, стр. 7—8
  26. V.V.Saraikin, A.B.Danilin K.A.Drakin V.V.Kukin A.A.Malinin V.N.Mordkovich A.F.Petrov O.I.Vyletalina Peculiarities of buried silicon oxynitride layer synthesis by sequential oxygen and nitrogen ion implantation in silicon Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B58 (1991) 191—193
  27. В. В. Сарайкин, О. И. Вылеталина А. Б. Данилин К. А. Дракин А. А. Малинин В. Н. Мордкович А. Ф. Петров Особенности структуры скрытых слоев диэлектрических фаз в кремнии, полученных в условиях ионного синтеза на основе повторяющихся циклов имплантация- отжиг Поверхность Физика, химия, механика т. 4, 1991 стр. 90—94
  28. В. В. Сарайкин, О. И. Вылеталина А. Б. Данилин К. А. Дракин В. Н. Мордкович А. Ф. Петров Особенности профилей концентрации атомов азота, имплантированного в кремний в условиях термоциклирования Поверхность Физика, химия, механика т. 6, 1991 стр. 151—153
  29. В. В. Сарайкин, Г. Б. Галиев В. Э. Каминский В. Г. Мокеров В. К. Неволин Ю. В. Слепнев Г. И. Шагимуратов Исследование перераспределения кремния в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом МЛЭ на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В IV Российская конференция по физике полупроводников. Новосибирск, 25—29 октября 1999 стр. 159
  30. В. В. Сарайкин, В. А. Вдовенков З. Я. Косаковская Свойства кремниевых подложек после удаления с их поверхности углеродных нанотрубных пленок Вторая Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Кремний-2000) стр. 204—206
  31. V.V.Saraikin, G.B.Galiev V.G.Mokerov Y.V.Slepnev G.I.Shagimuratov R.M.Ivanov E.M.Pashaev Study of the Structural Perfection and Distribution/Redistribution of Silicon in Epitaxial GaAs Films Grown by Molecular Beam Epitaxy on (100), (111)A, and (111)B Substrates Technical Physics vol.46 № 4, 2001, p.411—416
  32. V.V.Saraikin, G.B.Galiev V.G.Mokerov E.R.Lyapin Y.U.Khabarov A study of the Electrical and Optical Properties of Si Delta-Doped GaAs Layers Grown by MBE on a (111)A GaAs Surface Misoriented toward the [211] Direction Semiconductors vol. 35 № 4 2001 pp.409—414
  33. В. В. Сарайкин, Г. Б. Галиев В. Г. Мокеров Э. Р. Ляпин Ю. В. Хабаров Исследование электрофизических и оптических свойств дельта-легированных кремнием слоев GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [211] поверхностях (111)А GaAs Физика и техника полупроводников 2001т. 35 вып. 4 стр. 421—426
  34. В. В. Сарайкин, Г. Б. Галиев В. Г. Мокеров Ю. В. Слепнев Г. И. Шагимуратов Р. М. Имамов Э. М. Пашаев Исследование структурного совершенства, распределения и перераспределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100),(111)А. (111). Журнал технической физики 2001, т. 71 вып 4 стр. 47—52
  35. V.V.Saraikin, G.D.Mansfeld S.G.Alekseev Y.V.Gulyaev Z.Y.Kosakovskaya Acoustic and acoustoelectron properties of carbon nanotube films IWFAC—2001 St.-Peterburg July 2—6 p.89
  36. В. В. Сарайкин, А. М. Афанасьев Г. Б. Галиев Р. М. Имамов Е. А. Климов А. А. Ломов В. Г. Мокеров М. А. Чуев Структурная характеризация двойных квантовых ям AlGaAs/GaAs/AlGaAs с тонкими разделяющими AlAs- слоями с помощью рентгеновской дифракции Микроэлектроника 2003, т. 32 № 3 стр. 202—209
  37. В. В. Сарайкин, А. Б. Грановский, Ю. П. Сухоруков А. Ф. Орлов Н. С. Перов А. В. Королев Е. А. Ганьшина В. И. Зиненко Ю. А. Агафонов А. В. Телегин Д. Г. Яркин Структурные характеристики и состояние примесей в ферромагнитном Si, имплантированном Mn Письма в ЖЭТФ, 2007 том 85, вып 7, с. 414—417
  38. В. В. Сарайкин, А. Ю. Трифонов Investigation of Mn-dimers formation in silicon by SIMS method 12th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis ECASIA’07 Brussels p. 342
  39. В. В. Сарайкин, А. Ф. Орлов Ю. А. Агафонов Л. А. Балагуров В. Т. Бублик В. И. Зиненко А. В. Картавых А. С. Константинова Н. С. Перов А. Сапелкин Д. К. Щербачев Д. Г. Яркин Структура и магнитные свойства ферромагнитного полупроводника Si:Mn VIII Российская конференция по физике полупроводников Екатеринбург, 2007 г, стр. 369
  40. В. В. Сарайкин, А. Ю. Трифонов Исследование образования марганцевых димеров в кремнии методом ВИМС Конференция «Центры коллективного пользования (ЦКП) и испытательные лаборатории- в исследованиях материалов:диагностика, стандартизация, сертификация и метрология» 12—13 декабря 2007 г Гиредмет Москва стр. 29
  41. А.Б.Грановский, Ю.П.Сухоруков, А.Ф.Орлов, Н.С.Перов, А.В.Королев, Е.А.Ганьшина, В.И.Зиненко, Ю.А.Агафонов, А.В.Телегин, Д.Г.Яркин. Структурные характеристики и состояние примесей в ферромагнитном Si, имплантированном Mn  Письма в ЖЭТФ, 2007 том 85, вып 7, с.414-417
  42. А.Ю.Трифонов. Investigation of  Mn-dimers formation in silicon by SIMS method 12th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis ECASIA’07 Brussels p. 342
  43. A.Trifonov SIMS application for manganese clusters  detection in silicon International Conference “Micro and nanoelectronics-2007, October 1st-5th , 2007 Moscow-Zvenigorod, Russia P1-51
  44. А.Ф.Орлов, Ю.А.Агафонов, Л.А.Балагуров, В.Т.Бублик, В.И.Зиненко, А.В.Картавых, А.С.Константинова, Н.С.Перов, А.Сапелкин, Д.К.Щербачев, Д.Г.Яркин. Структура и магнитные свойства ферромагнитного полупроводника Si:Mn VIII Российская конференция по физике полупроводников Екатеринбург, 2007 г, стр.369.
  45. Грановский А.Б., Сухоруков Ю.П., Орлов А.Ф., Ганьшина Е.А., Зиненко В.И., Агафонов Ю.А., Телегин А.В. Ферромагнетизм кремния, имплантированного Mn: намагниченность и магнито-оптический эффект Фарадея Письма в ЖЭТФ, МАИК “Наука/Интерпериодика”, Москва
  46. А.Ю.Трифонов. Исследование образования марганцевых димеров в кремнии методом ВИМС Конференция «Центры коллективного пользования (ЦКП) и испытательные лаборатории- в исследованиях материалов: диагностика, стандартизация, сертификация и метрология», 12-13 декабря 2007 г Гиредмет Москва стр.29
  47. A.F.Orlov, L.A.Balagurov,I.V.Kulemanov, Yu.N.Parkhomenko, A.VKartavykh, Yu.A.Agafonov, V.I.Zinenko. Charge Carriers Compensation in a Ferromagnetic Mn-Implanted Si The Open Applied Physics Journal, 2009,2,p.20-22
  48. K. Shcherbachev,  V. Privezetsev,  D. Podgornyy.  Defect structure in Zn+ implanted Si: HRXRD study Phys. Status Solidi A, 1-5 (2010)
  49. Орлов А.Ф., Балагуров Л.А., Картавых А.В., Агафонов Ю.А., Зиненко В.И. Сопротивление растекания и компенсация носителей заряда в ферромагнитном кремнии, имплантированном марганцем Физика и техника полупроводников, СПб издательство «Наука», Санкт-Петербург
  50. V.S.Kulikauskas V.V.Privezentsev RBS and SIMS Investigation on ZN Implanted Si EDS2010 International Conference on Extended Defects in Semiconductors 19-24 September 2010 p.229 University of Sussex, Brighton, UK
  51. К.Д.Щербачев, В.В.Привезенцев, Д.А.Подгорный  Исследование эволюции дефектной структуры слоя Si после имплантации ионов Zn и последующих термических отжигов Материалы электронной техники №4 2010 стр. 56-61
  52. E.N.Sluta S.N.Shilobreeva S.A.Varopaev L.L.Kashkarov Preliminary experimental data on irradiation-induced fractionation of  isotopes 54Fe and 56Fe 42nd Lunar and Planetary Scince Conference 2011 p 1195-1196
  53. И.С.Васильевский А.Н.Виниченко К.Д.Щербачев Измерение мольной доли алюминия в тройных соединениях AlGaAs методом масс-спектрометрии вторичных ионов 2я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники. Стр.56-57, 2012
  54. И.С.Васильевский, А.Н.Виниченко, Г.Б.Галиев, М.М.Грехов, К.Д.Щербачев, Д.В.Лаврухин, Н.И.Каргин, М.Н.Стриханов Метрологическое обеспечение технологии PHEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs 2я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники. Стр.61-62, 2012
  55. K.P.Shcherbachev, P.V.Petrov, V.V.Privesentsev,  Near surface layer evolution in Zn ions implanted Si upon annealing treatments Applied Surfase Science, 267(2013) pp 97-100
  56. V.S.Kulikauskas, D.V.Roshchupkin, V.V.Privezentsev Trasformation of Defect Layer and Zinc Implant Profile in Silicon during Thermal Annealing Crystallograpy Reports, December 2012, vol 57 Issue 7 pp.903-908.
  57. V.V.Privesentsev, A.A.Shemukhin, D.V.Petrov, A.Yu.Trifonov, A.V.Lutzau ZnO Nanoparticle Formation in Si by Co-Implantation of Zn+ and O+ Ions Solid State Phenomena Vols. 205-206(2014) pp. 502-508
  58. В.И.Зиненко, Ю.А.Агафонов  Низкотемпературная имплантация ионов бора в кремний  Труды ХХI Междунар. конф. Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2013, Ярославль, Россия, 22-26 августа 2013 г., том 2, стр.127-129.
  59. А.Н.Клочков, Г.Б.Галиев, Е.А.Климов, С.С.Пушкарев, И.С.Васильевский, А.Л.Васильев Анализ InGaAs/InAlAs гетероструктур с нанометровыми вставками InAs методом масс-спектрометрии вторичных ионов 5-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 21-22 мая 2014 года, Стр 81-83
  60. С. Н. Шилобреева,  В. И. Зиненко, Ю. А. Агафонов, В. С. Бронский МИГРАЦИЯ АТОМОВ ЖЕЛЕЗА В КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ (Si) И АМОРФНЫХ (SiO2) ТЕЛАХ ПРИ РАДИАЦИОННОМ И ТЕРМИЧЕСКОМ ВОЗДЕЙСТВИИ ГЕОХИМИЯ, 2014, № 7, с. 663–666.
  61. S. N. Shilobreeva,  V. I. Zinenko,  Yu. A. Agafonov,  V. S. Bronskii Migration of Fe Atoms in Crystalline (Si) and Amorphous (SiO2)  Materials at Their Irradiation and Heating  ISSN 0016 7029, Geochemistry International, 2014, Vol. 52, No. 7, pp. 604–607.
  62. К.Л.Енишерлова, Ю.А.Концевой, С.В.Миллер Исследование распределения и процентного содержания Al,Ga,O и N в гетероструктурах AlGaN/GaN методом ВИМС 6-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники 20-21 мая 2015 года, Стр. 89-90
  63. А.В.Клековкин, В.П.Мартовоцкий, Ю.Г.Садофьев, И.С.Васильевский Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям. 6-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 20-21 мая 2015 года Стр. 77-78
  64. Ю. Г. Садофьев, В. П.Мартовицкий, А. В. Клековкин, В. В. Сарайкин,  И. С. Васильевский «Ge/GeSn наноструктуры с высоким содержанием олова, выращенные на подложках (001) GaAs и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии  ФТП,  т. 49, вып. 12, стр. 1612 - 1618 (2015)
  65. Yu.G. Sadofyev;  V.P. Martovitsky, A.V. Klekovkin,  V.V. Saraikin,  I.S. Vasil'evskii; «Thermal stability of Ge/GeSn nanostructures grown by MBE on (001) Si/Ge virtual wafers» Physics Procedia 72 p. 411 – 418 (2015)
  66. Bolshakov,  V Ralchenko, V Sedov, A Khomich,  I Vlasov, A Khomich,  N Trofimov,  V Krivobok,  S Nikolaev,  R Khmelnitskii,  Photoluminescence of SiV centers in single crystal CVD diamond in situ doped with Si from silane  Phys. Status Solidi A, 1–8  (2015) /DOI 10.1002/pssa.201532174
  67. Victor Ralchenko,  Vadim Sedov,  Andrey Bolshakov, Evgeny Zavedeev,  Evgeny Ashkinazi, Andrew Khomich Precise control of photoluminescence of silicon-vacancy color centers in homoepitaxial single-crystal diamond: evaluation of efficiency of Si doping from gas phase Appl. Phys. A (2016) 122:795
  68. R.A. Khmelnitsky, V.A. Dravin,  E.V. Zavedeyev  S.V.Makarov V.S. Bronsky, A.A. Gippius, Lithium implanted into diamond: Regular trends and anomalies Surface & Coatings Technology 307 (2016) 236–242
  69. Мартовицкий В.П., Садофьев Ю.Г., Клековкин А.В., Сарайкин В.В., Васильевский И.С.  «Исследование устойчивости метастабильных эпитаксиальных слоев GeSn к термическим воздействиям»  Физика и техника полупроводников, т. 50, вып. 12, стр. 1570 - 1575 (2016)
  70. K.L.Enisherlova, V.G.Goryachev, S.A.Karpilin The Instability of the CV Characteristics Capacitance When Measuring AlGaN/GaN Heterostructures and HEMT-Transistors Based on Them ISSN 1063-7397 Russian Microelectronics,2017,vol.46,No.8 pp591-599
  71. Енишерлова К.Л. Горячев В.Г. Капилин С.А., Диагностика гетероструктур AlGaN/GaN и HEMT транзисторов на их основе методом анализа вольт-фарадных характеристик 11-я Всероссийская конференция «НИТРИДЫ ГАЛЛИЯ, ИНДИЯ И АЛЮМИНИЯ: СТРУКТУРЫ И ПРИБОРЫ» 1-3 февраля 2017 г.
  72. Alexander Rufa, Basem Kanawatia, Norbert Hertkorna, Qing-Zhu Yinc, Franco Moritza, Mourad Harira,b, Marianna Lucioa, Bernhard Michalkea, Joshua Wimpennyc, Svetlana Shilobreevad, Basil Bronskyd, Vladimir Saraykin, Zelimir Gabelicaf, Regis D. Gougeong, Eric Quiricoh, Stefan Ralewi, Tomasz Jakubowskij, Henning Haackk,l, Michael Gonsiorm, Peter Jenniskensn,o, Nancy W. Hinmanp, and Philippe Schmitt-Kopplin Previously unknown class of metalorganic compounds revealed in meteorites www.PNAS.org, February 28, 2017; 114(9)
  73. Агафонов Ю.А  Зиненко В.И. Кононенко О.В. Синтез графена методом холодной имплантации атомов отдачи углерода Письма в журнал технической физики", 2017, выпуск 12 стр.52  DOI 10.21883/PJTF.2017.12.44708.16736
  74. V.I.Zinenko Yu.A.Agafonov O.V.Kononenko  "Graphene  synthesis by cold recoil implantation of carbon atoms". Международная конференция Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2017). т.3, стр.45.
  75. Т.Ф.Русак, К.Л.Енишерлова, А.В.Лютцау, В.И.Корнеев, Особенности дислокационной структуры эпитаксиальных слоев AlGaN/GaN  при легировании слоя GaN углеродом и железом 9-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники 23 мая 2018 года стр.92
  76. I.S.Vasil’evskii, A.N. Vinichenko, M.M. Grekhov, V.V. Saraykin, A.N. Klochkov, N.I. Kargin, R.A. Khabibullin, S. S. Pushkarev Temporal stability and absolute composition issues in molecular beam epitaxy of AlGaAs/GaAs THz QCL EPJ Web of Conferences 195, 04006 (2018) TERA-2018
  77. R.A. Khmelnitsky,  V.V. Saraykin, V.A. Dravin, E.V. Zavedeyev, S.V. Makarov, V.S. Bronsky, A.A. Gippius Lithium implanted into diamond: Regular trends and anomalies Surface & Coatings Technology 307(2016)236-242
  78. S. Vasil’evskii,  A.N. Vinichenko, P.L.Donrokhotov, V.V. Saraykin, N.I. Kargin, "Precise determination of the composition of AxB1-xAs ternary semiconductor alloys by cluster ion SIMS" 24th International Conference Ion-Surface Interactions(ISI-2019)
  79. А.Н. Алешин А.С. БугаевО.А. Рубан В.В. Сарайкин Н.Ю. Табачкова И.В. Щетинин. Энергетические затраты при формировании упругонапряженного состояния в слоях ступенчатого метаморфного буфера в гетероструктуре, выращенной на подложке (001) GaAs Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, вып. 8 Стр. 1086-1094
  80. A. N. AleshinA. S. BugaevO. A. Ruban V. V. Saraikin N. Yu. TabachkovaI. V. Shchetininb. Energy Expenditure Upon the Formation of the Elastically Stressed State in the Layers of a Step-Graded Metamorphic Buffer in a Heterostructure Grown on a (001) GaAs Substrate ISSN 1063-7826, Semiconductors, 2019, Vol. 53, No. 8, pp. 1066–1074. © Pleiades Publishing, Ltd., 2019. pp. 1066–1074.
  81. Erik M. Galimov Felix V. Kaminsky, Svetlana N. Shilobreeva, Vyacheslav S. Sevastyanov,Serge i A. Voropaev, Galina K. Khachatryan Richard WirthAnja Schreiber Vladimir V. Saraykin, Gennady A. Karpov Leonid P. Anikin Enigmatic diamonds from the Tolbachik volcano, Kamchatka American Mineralogist, Volume 105, pages 498–509, 2020
  82. Э.М. ГалимовФ.В. Каминский Г.А. Карпов C.Н.Шилобреева, В.С.Севастьянов С.А. ВоропаевЛ.П. Аникин Р. ВиртГ.К. Хачатрян ОБ ОСОБЕННОСТЯХ СОСТАВА И О ПРИРОДЕ ВУЛКАНОГЕННЫХ АЛМАЗОВ Геология и геофизика, 2020, т. 61, № 10, с. 1303—1315 УДК 550.4
  83. E.M. GalimovF.V. Kaminsky G.A. Karpov S.N. Shilobreeva V.S. Sevast’yanov S.A. VoropaevL.P. Anikin R. WirthG.K.Khachatryan The Nature and Compositional Peculiarities of Volcanogenic Diamonds Russian Geology and Geophysics © 2020, V.S. SobolevIGM, Siberian Branch of the RAS Vol. 61, No. 10, pp. 1065–1074, 2020 doi:10.15372/RGG2020172
  84. А. Н. Алёшин, А. С. Бугаев, О. А. Рубан, В. В. Сарайкин, Н.Ю. Табачкова, И. В. Щетинин ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ СОСТОЯНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ В МНОГОСЛОЙНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ, ВЫРАЩЕННОЙ НА ПОДЛОЖКЕ (001) GaAs КРИСТАЛЛОГРАФИЯ, 2020, том 65, № 1, с. 137–146
  85. N. Aleshin, S. Bugaev, O. A. Ruban, V. V. Saraikin, Yu.Tabachkova I.V. Shchetinin The Energy State of Epitaxial Layers in a Multilayer Heterostructure, Grown on a (001)GaAs Substrate ISSN 1063-7745, Crystallography Reports, 2020, Vol. 65, No. 1, pp. 138–146. © Pleiades Publishing, Inc., 2020.

124460, Москва, г. Зеленоград, ул. конструктора Гуськова, дом 5.

Тел: +7 (499) 214-01-14,          Электронная почта: admin@niifp.ru,

Факс: +7 (499) 731-55-92.                                    kozlitin50@mail.ru.

 Rambler's Top100