Наиболее значимые результаты, полученные с использованием научного оборудования ЦКП

1. На основе исследований кинетики роста и эмиссионных свойств углеродных нанотрубок разработана технология, предложен и экспериментально реализован в качестве  базового элемента интегральной эмиссионной электроники оригинальный планарный эмиттер. Разработанная технология позволяет контролировать не только позиционирование нанотрубок, но и их размеры. Исследования показали, что использование нанотрубок  обусловливает заметное расширение частотного диапазона (до ТГц) и продвижение в сторону высоких температур (до 300°С), а объединение автоэмиссионных элементов с элементами на основе вторичной электронной эмиссии позволяет  перейти к разработке таких новых устройств как терабитные ЗУ или процессоры с двумерной обработкой информации.




2. Выполнены теоретические и экспериментальные исследования вторичной электронной эмиссии поликристаллических алмазных пленок (АП). Исследование показали  возможности использования сплошных и структурированных поликристаллических АП в качестве эмиттеров вторичных электронов для умножителей потока электронов, устройств ночного видения и тепловидения.

   Разработан базовый элемент – матричный усилитель электронного потока, а также показана принципиальная возможность использования АП в терабитном ЗУ для суперкомпьютеров.




3. Проведено исследование свойств перспективных материалов для контактных систем и систем межсоединений КМОП транзисторов нового поколения на основе силицидов.

На основе комплементарной МОП технологии (КМОП) был разработан технологический маршрут изготовления полностью обедненных МОП транзисторов на КНИ подложке с применением самосовмещенной технологии формирования силицида в электродах транзистора.

На основании полученных результатов даны рекомендации по корректировке параметров технологического процесса. Оптимизированная технология изготовления полностью обедненных КМОП структур с применением моносилицида никеля позволила получить транзисторы с низким энергопотреблением, а токи насыщения таких транзисторов на 20÷30 % превышают величины, характерные для объёмной технологии.

Обладая высокой радиационной стойкостью и быстродействием, данные транзисторы могут быть успешно использованы в аэрокосмической технике, а низкое энергопотребление позволяет также применять их в автономных приборах и спецтехнике.




4. Разработана базовая технология и  отечественная конструкция джозефсоновских сверхпроводниковых интегральных схем (СПИС) эталонов Вольта постоянного и переменного напряжений для обеспечения современной эталонной базы метрологических центров России.

Техническая цель работы состояла в обеспечении воспроизведения единицы напряжения 1В на эталонном оборудовании с помощью разрабатываемых джозефсоновских СПИС с точностью до 1·10 ^-9.




5. Разработаны технологии низкотемпературной (20-60°С) модификации поверхности полиэтилена низкой плотности  методом импульсного  ионно-плазменного нанесения углеродного покрытия.

Указанные технологии могут применяться при модифицировании медицинских полимеров, перспективных для использования в качестве имплантатов кратковременного и длительного действия в сердечно-сосудистой хирургии и офтальмологии.

Социальные эффекты выражаются в уменьшении сроков реабилитации послеоперационных больных, сокращении смертности от сердечно-сосудистых заболеваний и травматизма, увеличении срока годности имплантатов и т.д.

Прикладная часть работы направлена на применение разработанной технологии для изготовления изделий двойного назначения: фильтров наркозных аппаратов и крови, искусственной кожи, оксигенераторов, мешков для хранения крови, катетеров, ожоговых повязок, фильтров для очистки воды и других жидкостей, имплантатов долговременного действия (протезы кровеносных сосудов, сердечных клапанов, искусственных хрусталиков глаза).

124460, Москва, г. Зеленоград, ул. конструктора Гуськова, дом 5.

Тел: +7 (499) 214-01-14,          Электронная почта: admin@niifp.ru,

Факс: +7 (499) 731-55-92.                                    kozlitin50@mail.ru.